(1)
где
- температурный потенциал.
k – постоянная Больцмана,
q – заряд электрона,
T – температура,
I0 – обратный ток.
При T = 293ºК = 20ºС
(2)
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (ВАХ) презентация
Содержание
При прямом включении и Uпр > 0,1B При обратном включении Uобр > (0,1 - 0,2)B ВАХ p-n-перехода
Слайд 1Вольт-амперная характеристика
p-n-перехода (ВАХ)
Зависимость тока через p-n-переход от приложенного
к нему напряжения хорошо описывается экспоненциальной зависимостью
Слайд 3 Зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему
напряжения, выраженная в графическом виде, называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ).
На основании выражения можно построить ВАХ
p-n-перехода
U* - режим
отпирания
p-n-перехода
I
пр
Ge
Si
20
C
U
пр
U
*
0,2
0,4
0,6
I
0
I
обр
U
B
обр
о
B
1)
Слайд 4Запишем (1) иначе
(3)
Например, при изменении
для Si напряжение Up-n изменяется в
диапазоне
(0,64 - 0,69)В.
(0,64 - 0,69)В.
Слайд 5 Обратное напряжение – сотни вольт, обратный ток – единицы-десятки
микроампер.
Таким образом
Свойство односторонней электропроводности
p-n-перехода отражено в вольтамперной характеристике.
Прямое падение напряжения составляет доли вольта, (для Si 0.64 - 0.69 В),
прямой ток – десятки-сотни миллиампер.
