Презентации к лекционному курсу
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Твердотельная электроника презентация
Содержание
- 1. Твердотельная электроника
- 2. 1 Основные понятия твердотельной электроники
- 3. Зависимость энергии от квазиимпульса в InSb
- 4. Температурная зависимость Eg для германия
- 5. Упрощенная энергетическая диаграмма
- 6. Упрощенная энергетическая диаграмма собственного полупроводника
- 8. Заполнение зон при Т=0 К и Т>0 К
- 9. Статистика электронов и дырок в полупроводниках Функция распределения Ферми-Дирака
- 11. Статистика Максвелла-Больцмана
- 12. эффективная плотность состояний в зоне проводимости
- 13. Эффективная плотность состояний для валентной зоны
- 14. Уравнение электронейтральности
- 15. собственная концентрация
- 16. Зависимость собственной концентрации от обратной температуры
- 17. Донорный полупроводник
- 21. Акцепторный полупроводник
- 23. Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
- 24. Коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью и напряженностью
- 25. Влияние электрического поля
- 26. Закон Ома в дифференциальной форме:
- 27. Рассеяние – мгновенные события, внезапно меняющие
- 28. Рассеяние на решетке
- 29. Рассеяние на заряженной примеси
- 30. Электропроводность материала
- 31. Неравновесное состояние полупроводника
- 32. Квазиуровень Ферми
- 33. В равновесном состоянии скорость генерации (число электронов,
- 34. Концентрация неравновесных носителей может быть меньше концентрации равновесных носителей (Δn
- 35. Влияние внешних условий на свойства полупроводников
- 36. Скорость, с которой протекает рекомбинация, определяется временем жизни неравновесных носителей заряда
- 37. Уравнение непрерывности
- 38. Уменьшение концентрации носителей, определяемое процессом линейной рекомбинации имеет вид:
- 39. Механизмы рекомбинации
- 40. Энергетические диаграммы дырочного полупроводника с учетом поверхностных состояний
- 41. Диффузионные и дрейфовые токи
- 44. Для одномерного случая полный ток равен:
- 45. Уравнение Пуассона
- 46. Уравнение непрерывности тока
- 47. Уравнение непрерывности:
- 48. Граничные условия
- 49. Граничные условия
- 50. Плотность дырочного тока при :
- 51. Контактные явления
- 53. Барьер на границе металла с полупроводником (барьер Шоттки)
- 55. Контакт металл-электронный полупроводник
- 56. Выпрямление тока на контакте металла с полупроводником
- 57. Контакт электронного и дырочного полупроводников
- 60. Соотношения между основными и неосновными носителями:
- 64. Прямое смещение p-n-перехода (7.14)
- 65. Обратное смещение
- 66. Энергетические диаграммы при прямом и обратном смещении
- 67. Изотипные и анизотипные гетеропереходы
- 69. Схема двойного гетероперехода
- 70. МДП–структура
- 71. МДП-структура энергия электронного сродства Если
- 72. Энергетические диаграммы при различных смещениях
- 75. при x=w
1 Основные понятия твердотельной электроники
Слайд 1Электронный учебно-методический комплекс
Твердотельная электроника
Основные понятия твердотельной электроники
МОСКВА
2012 НИУ «МЭИ»
Слайд 24Коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью и напряженностью электрического поля называют подвижностью
носителей заряда и обозначают μ [см2/(В∙с)].
Слайд 27
Рассеяние – мгновенные события, внезапно меняющие скорость электронов. Экспериментальные исследования температурной
зависимости подвижности показывают, что при низких температурах преобладает рассеяние на ионах примеси, а при более высоких – рассеяние на тепловых колебаниях решетки
Слайд 33В равновесном состоянии скорость генерации (число электронов, генерируемых в единице объема
в единицу времени) равна скорости рекомбинации (число электронов, рекомбинирующих в единице объема в единицу времени):
Слайд 34Концентрация неравновесных носителей может быть меньше концентрации равновесных носителей (Δn
в этом случае говорят о низком уровне возбуждения или низком уровне инжекции. При высоком уровне возбуждения или высоком уровне инжекции концентрация неравновесных носителей сравнима или превышает равновесную концентрацию
Слайд 36
Скорость, с которой протекает рекомбинация, определяется временем жизни неравновесных носителей заряда
Слайд 71МДП-структура
энергия электронного сродства
Если энергию электрона отсчитывать от энергии Ферми, а
не от , используют понятие термоэлектронной работы выхода или просто работы выхода Φ:
