- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Электропроводность кристаллов презентация
Содержание
- 1. Электропроводность кристаллов
- 2. Электропроводность кристаллов
- 4. Проводимость полупроводников В общем случае: σ = cqμp
- 5. Диффузионный ток в полупроводниках j = - D dc/dx
- 6. n-p переход, обедненная зона
- 7. What happens when p-type & n-type semiconductors
- 8. Диффузия носителей заряда в полупроводниках Концентрация
- 9. Соотношение Эйнштейна для заряженных частиц (ионов)
- 10. Диффузия атомов примеси по межузлиям Коэффициент диффузии
- 12. с сqμ Проводимость заряженных частиц Ценность последнего
- 14. Ионная проводимость в кристаллах
- 15. Точечные дефекты и электропроводность ионных кристаллов
- 16. Электропроводность галогенидов
- 19. Вакансионный механизм ионной проводимости галогенидов
- 20. Управляем концентрацией вакансий
- 21. F- центр -анионная вакансия, захватившая избыточный
- 22. Изменение плотности кристалла KCl («разбухание» кристалла)
- 23. Ионные суперпроводники
Электропроводность кристаллов
Слайд 1Профессор Б.И.Островский
Физика реального кристалла
ostr@cea.ru
5. Электропроводность кристаллов.
Слайд 7What happens when p-type & n-type semiconductors are connected?
Holes and e’s
migrate across p/n junction.
holes
~104 V/cm electric field at
junction limits size of depletion
region
Диффузия носителей
заряда
Слайд 8Диффузия носителей заряда
в полупроводниках
Концентрация неосновных
носителей заряда возрастает
на порядки
Короткая
вспышка
Слайд 9Соотношение Эйнштейна для
заряженных частиц (ионов)
μp KBT = qD
μp = v/
F = v/qE
V- дрейфовая скорость ионов; μp - подвижность
заряженных частиц, q- заряд, E - электрическое поле,
c - концентрация заряженных частиц.
V- дрейфовая скорость ионов; μp - подвижность
заряженных частиц, q- заряд, E - электрическое поле,
c - концентрация заряженных частиц.
σ = cqμp = cq2D/ KBT - проводимость
μpKBT = D
Слайд 10Диффузия атомов примеси по межузлиям
Коэффициент диффузии зависит от температуры по закону
D = D0 e − E / kT ,
причем в данном случае Е представляет собой энергию
активации процесса (энергия перескока).
причем в данном случае Е представляет собой энергию
активации процесса (энергия перескока).
Пример диффузии по межузлиям
Слайд 11
D = cv Dν ;
Dν = za2 ν0 e − Eν / kT
cv = n/N = e − Evac / kT - концентрация вакансий
D = ν0 za2 e − (Evac + Eν )/ kT
ED= Evac + Eν
D = D0 e − ED / kT
Dν = za2 ν0 e − Eν / kT
cv = n/N = e − Evac / kT - концентрация вакансий
D = ν0 za2 e − (Evac + Eν )/ kT
ED= Evac + Eν
D = D0 e − ED / kT
Вакансионный механизм диффузии
(атомы замещения)
Слайд 12с
сqμ
Проводимость заряженных частиц
Ценность последнего выражения определяется тем, что
проводимость образца можно легко
измерить
= (сq2νa2/
Слайд 21 F- центр -анионная вакансия, захватившая избыточный электрон
Образование катионных вакансий в
кристалле KCl
Катионная вакансия
+ позитрон?
