Электроны в твердых телах презентация

Содержание

Ковалентная связь между атомами германия Пространственная кристаллическая решетка состоит из атомов, связанных друг с другом валентными электронами

Слайд 1Электроны в твердых телах
Зонная энергетическая диаграмма
Металл

Полупроводник
В металле число электронов проводимости равно числу атомов


Слайд 2Ковалентная связь между атомами германия

Пространственная кристаллическая решетка состоит из атомов, связанных

друг с другом валентными электронами

Слайд 3Собственная проводимость полупроводников
Число подвижных носителей заряда по отношению к общему числу

атомов
Кремний – 0.0000000001 %
Германий – 0.0000001 %
Металлы – число свободных электронов равно числу атомов

Слайд 4Собственная проводимость полупроводников


Слайд 5Принцип дырочной электропроводности


Слайд 6Примесная проводимость полупроводников
Донорные примеси – фосфор, мышьяк, сурьма


Слайд 7Примесная проводимость полупроводников
Акцепторные примеси – бор, алюминий, индий


Слайд 8Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
Дрейфовый ток в полупроводнике – это

ток, возникающий за счёт приложенного электрического поля. При этом электроны движутся навстречу линиям напряжённости поля, а дырки – по направлению линий напряжённости поля.
Диффузионный ток – это ток, возникающий из-за неравномерной концентрации носителей заряда. n2>n1. n2-n1=Δn.


Слайд 9Движение электрона в магнитных полях.
Сила Лоренца вызывает отклонение в движении электрона


Слайд 10Эффект Холла
Линейная зависимость между напряжением при эффекте Холла и магнитной индукцией,

вызывающей это напряжение

Слайд 11Образование электронно-дырочного перехода
В отсутствие внешнего напряжения происходит диффузия
N P электроны
P

N дырки
По обе стороны границы раздела создаются объемные заряды различных знаков

Слайд 12Прямое включение p-n перехода

Внешнее электрическое поле действует навстречу полю объемного заряда
Инжекция
эмиттер



Слайд 13Обратное включение p-n перехода

Внешнее поле и поле объемного заряда складываются высота

потенциального барьера повышается
Диффузионный ток отсутствует
Имеется ток дрейфа вызванный перемещением неосновных носителей заряда

Слайд 14ВАХ p-n перехода.


Слайд 15Пробой p-n перехода


Слайд 16Переход Шоттки


Слайд 17Тоннельный эффект.


Слайд 18Эффект Гана


Обратная связь

Если не удалось найти и скачать презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое ThePresentation.ru?

Это сайт презентаций, докладов, проектов, шаблонов в формате PowerPoint. Мы помогаем школьникам, студентам, учителям, преподавателям хранить и обмениваться учебными материалами с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика