Слайд №1
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия презентация
Содержание
- 1. Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия
- 2. Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя Слайд №2
- 3. Слайд №3 Рисунок 2 – Схема
- 4. Слайд №4 Рисунок 3 – Прямая ветвь ВАХ исследуемой структуры
- 5. Рисунок 4 – Обратная ветвь ВАХ исследуемой структуры Слайд №5
- 6. Рисунок 5 – Зависимость тока структуры от времени измерения Слайд №6
- 7. A E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838);
- 8. а) б)
- 9. Рисунок 8 — Зависимость фототока от относительной интенсивности света при напряжении UФ=5 В Слайд № 9
Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя Слайд №2
Слайд 1
Основная цель работы: исследование вольт-амперных характеристик и фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки
на высокоомных монокристаллах арсенида галлия
Слайд 3Слайд №3
Рисунок 2 – Схема установки для измерения вольтамперных характеристик барьеров
Шоттки
Слайд 7A
E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр
(мультиметр Mastech MS8222H); LED – инфракрасный светодиод Kingbright L-53SF6; STR – фотоприемник; V1 – вольтметр
Рисунок 6 — Электрическая схема измерительного стенда для измерения семейства ВАХ фотоприемника при оптическом облучении
Рисунок 6 — Электрическая схема измерительного стенда для измерения семейства ВАХ фотоприемника при оптическом облучении
Слайд №7
Слайд 8а) б)
1 – I = 1,00 (IF = 16 мА);
2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА); 3 – I = 0,04 (IF = 0,7 мА)
Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при различных интенсивностях света (а) и ВАХ в отсутствие освещения (б)
Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при различных интенсивностях света (а) и ВАХ в отсутствие освещения (б)
Слайд № 8
Слайд 9
Рисунок 8 — Зависимость фототока от относительной интенсивности света при напряжении UФ=5 В
Слайд
№ 9
