- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Диод. Назначение, структура, условные обозначения презентация
Содержание
- 1. Диод. Назначение, структура, условные обозначения
- 2. 1 Диод
- 3. Диод –– ПП прибор,
- 4. Рисунок 1.1 – Структурная
- 5. ВАХ является основной характеристикой
- 6. Рисунок 1.2 (предварительный)––ВАХ силового
- 7. В прямом направлении ВАХсостоит из двух участков ОА и АВ.
- 8. На участке ОА, когда
- 9. При дальнейшем ↑ UF
- 10. Таким образом, при небольшом
- 11. В обратном направлении ВАХ также состоит из двух участков ОС и СD.
- 12. На участке ОС при
- 13. Когда UR достигает некоторого
- 14. Рисунок 1.2 ––ВАХ силового
- 15. 2 Биполярный транзистор (БТ)
- 16. БТ называется ПП прибор,
- 17. Служат для усиления
- 18. В БТ входной (маленький) ток управляет выходным (большим) током.
- 19. БТ различают на прямые
- 20. Выводы или электроды БТ
- 21. Область эмиттера служит для испускания основных носителей заряда.
- 22. Область базы –– для регулирования потока основных носителей.
- 23. Область коллектора –– для приема основных носителей.
- 24. По I закону Кирхгофа
- 25. По стрелке и, пользуясь
- 26. Переходы jЭ и jК
- 27. Для работы БТ между
- 28. Так как p–n переход
- 29. 2.5 Устройство для переключения
- 30. Интервал 0 — 1.
- 31. Интервал 1 — 2.
- 32. 3 Тиристор (ТС)
- 33. ТС называются ПП, состоящие
- 34. 1) закрытом, R
- 35. Применяются как переключающие элементы
- 36. Функции, выполняемые тиристорами, аналогичны
- 37. У БТ kI =
- 38. Рисунок 3.1 –– Структурные
- 39. Наибольшее применение в технике
- 40. Рисунок 3.2 –– ВАХ реального ТС 3.2 ВАХ тиристора
- 41. Рисунок 3.3 –– ВАХ идеального тиристора
- 42. Рисунок 3.4 –– ВАХ идеального диода
- 43. Открыть ТС –– подать
- 44. Построить временную диаграмму выходного напряжения uBЫХ в
- 45. Схема с тиристором
- 46. Диаграммы работы схемы с тиристором
- 47. 4 Система обозначений силовых диодов и тиристоров
- 48. 1 — вид ПП
- 49. 3 — порядковый номер
- 50. 6 — максимально допустимый
- 51. Диод — Д,
- 52. Тиристор — Т, Лавинный
- 53. Д161 — 250 —
Слайд 3
Диод –– ПП прибор, имеющий один p–n переход и предназначенный для
1.1 Назначение, структура, условные обозначения
Слайд 4
Рисунок 1.1 – Структурная схема (а), условные графическое и буквенное (б)
А — анод диода.
К — катод диода.
Слайд 5
ВАХ является основной характеристикой диода. Она определяет зависимость тока, протекающего через
где индекс А — анод диода.
IA=f(UA),
IA
UA
1.2 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода
Слайд 6
Рисунок 1.2 (предварительный)––ВАХ силового диода
ВАХ в прямом и обратном направлениях снимаются
(Цифры на осях могут быть произвольными).
Слайд 9
При дальнейшем ↑ UF (участок АВ) запирающий слой исчезает (UА >
Слайд 10
Таким образом, при небольшом прямом напряжении UF, равном единицам Вольт, по
Сопротивление диода близко к нулю.
Слайд 12
На участке ОС при ↑ UR ток IR очень мал и
Сопротивление диода близко к ∞.
Слайд 13
Когда UR достигает некоторого предельного значения (т. С), которое называется напряжением
Слайд 14
Рисунок 1.2 ––ВАХ силового диода
Покажем на ВАХ реального диода ВАХ идеального
В прямом направлении ВАХ проходит по оси ординат. Это означает, что RVD = 0.
В обратном направлении ВАХ проходит по оси абсцисс. Это означает, что RVD = ∞.
Слайд 16
БТ называется ПП прибор, имеющий два p–n перехода и состоящий из
2.1 Назначение
Слайд 17
Служат для усиления мощности электрических колебаний, а также для переключения, преобразования
Слайд 19
БТ различают на прямые (тип p–n–p), где главными носителями являются дырки,
Рисунок 2.1– Структурные схемы (а, в) и условные обозначения (б, г) БТ p–n–p (а, б) и n–p–n (в, г)
2.2 Структура, переходы, условные обозначения
Слайд 20
Выводы или электроды БТ называются эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К).
Области, к которым подключены эти электроды, также носят эти названия.
Слайд 24
По I закону Кирхгофа для токов БТ можно записать следующее выражение
IЭ
(2.1)
IК ≈ (90…99)%·IЭ;
IБ ≈ (1…10)%·IЭ.
2.3 Токи: направление, связь, процентное соотношение
Слайд 25
По стрелке и, пользуясь (2.1), можно легко определить направления токов в
Стрелка в обозначении БТ показывает эмиттер, а ее направление –– в какую сторону течет ток эмиттера.
Слайд 26
Переходы jЭ и jК называются, соответственно, эмиттерным и коллекторным переходами.
2.4 Напряжения:
Слайд 27
Для работы БТ между его электродами включаются источники напряжения, полярность которых
Слайд 28
Так как p–n переход в прямом направлении имеет R ≈ 0,
Слайд 29
2.5 Устройство для переключения ламп
Рисунок 2.2 ― Форма входного сигнала (а)
Слайд 33
ТС называются ПП, состоящие из четырех или более чередующихся p и
3.1 Назначение, структура, условное обозначение, устойчивые состояния
Слайд 34
1) закрытом,
R ≈ ∞;
2) открытом,
R ≈ 0.
ТС может находиться только
Слайд 35
Применяются как переключающие элементы в регулируемых выпрямителях, инверторах, бесконтактных выключателях, преобразователях
Слайд 36
Функции, выполняемые тиристорами, аналогичны функциям, которые выполняют транзисторы в ключевом режиме.
VS = VT в КР.
Слайд 37
У БТ kI = 10…100. Используются в устройствах малой и средней
У ТС kI = 105…106 –– в мощных преобразователях.
Слайд 38
Рисунок 3.1 –– Структурные схемы и условные обозначения динистора (а), тринисторов
Слайд 39
Наибольшее применение в технике нашли незапираемые тринисторы с управлением по катоду,
Слайд 42
Рисунок 3.4 –– ВАХ идеального диода и идеального ТС
3.4 Отличие
IF
UF
UR
RVD≈0
RVD≈∞
IF
UF
UR
RVS≈0
RVS≈∞
RVS≈∞
0
0
IG=0
IG= IGT
А
А
К
К
УЭ
+
+
+
+
+
IG= IGT
IG=0
Слайд 43
Открыть ТС –– подать на УЭ отпирающий импульс управления («+» на
Закрыть ТС –– подать между его анодом и катодом обратное напряжение.
3.5 Способы открытия и закрытия ТС
Слайд 44Построить временную диаграмму выходного напряжения uBЫХ в схеме по рисунку &
3.6 Схема работы ТС
(Диаграмма iG может быть изменена).
Слайд 48
1 — вид ПП прибора (Д — диод, Т — тиристор);
2
Слайд 49
3 — порядковый номер модификации конструкции;
4 — цифра, кодирующая габариты корпуса:
5 — обозначение конструктивного исполнения корпуса (1 или 2 — штыревое, 3 — таблеточное) ;
Слайд 50
6 — максимально допустимый средний прямой ток IFAV m, А;
7 —
URRM = 100∙К, В;
8 — импульсное прямое падение напряжения UFM, В;
9 — климатическое исполнение (У или УХЛ) и категория размещения (1, 2, 3, 4, 5);
Слайд 51
Диод — Д,
обычный — ,
первой модификации
размер шестигранника под ключ 32 мм — 6,
штыревой конструкции с гибким выводом — 1,
максимально допустимый средний прямой ток IFAV m= 250 А — 250,
класс 18 (URRM=1800 В) — 18,
импульсное прямое напряжение UFM= 1,35 В — 1,35,
для умеренного и холодного климата — УХЛ и наружной установки под навесом (2).
Д161 — 250 — 18 — 1,35 — УХЛ2
Слайд 52
Тиристор — Т,
Лавинный — Л,
первой модификации конструкции — 1,
диаметр
таблеточный конструкции — 3,
максимально допустимый средний прямой ток IFAV m=3200 А — 3200,
класс 30 (URRM=3000 В) — 30,
импульсное прямое напряжение UFM = 2,2 В — 2,2,
для умеренного климата — У и внутренней установки — 3.
ТЛ173 — 3200 — 30 — 2,2 — У3
Слайд 53
Д161 — 250 — 18 — 1,35 — УХЛ2
Максимально допустимый средний
IFAV m=250 А
πIFAV m=785 А
Класс диода 18 — URRM=1800 В.
URRM=1800 B
Импульсное прямое напряжение UFM = 1,35 В.
UFM=1,35 B
Рисунок 4.1 –– ВАХ диода или тиристора
