Выращивание полупроводниковых кристаллов в космосе презентация

генеральный директор ООО«А-УНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ»
Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта

к границе раздела фаз;
2 реакции на границе раздела фаз;
3 отвод продуктов реакции от границы раздела фаз.

Первая теория роста кристаллов (Коссель, Странский)

Рисунок 1 – Схема устойчивого поселения на гладкой поверхности кристалла не одного (а), а группы (б) атомов – двумерного зародыша [1]

из расплавов: а, б – метод Бриджмена «вертикальный» и «горизонтальный»; в – зонная плавка в лодочке; г – метод Чохральского. [2]

Рисунок 3 – процесс выращивания кристалла в тигле.

на дрова стены своего дома вместо того, чтобы съездить за ними в лес" С. П. Королев
Существенное уменьшение силы тяжести меняет глобальным образом характер конвекции - беспорядочное перемешивание разных по температуре потоков жидкости. Она практически прекращается. Роль диффузии - постепенного взаимопроникновения, внедрения атомов одного вещества между атомами другого, - напротив, становится более заметной.

в условиях микрогравитации.
1 – корпус; 2 - демпфирующая шайба из углеграфитового войлока; 3 – графитовая вставка; 4 – кварцевый тигель; 5 - загрузка поликристаллического GaSe; 6 – кварцевая пробка; 7 – графитовая вставка; 8 – кварцевая пробка.

орбитальной станции бесприместные кристаллы антимонида индия.

Рисунок 7 – Структурные особенности Ge (Ga)

промышленной технологией.
2 Ряд экспериментов по выращиванию совершенных кристаллов увенчался успехом (Ga As, CdHgTe, GaSe).
3 Технологические эксперименты в космосе стали существенным подспорьем в отработке технологических процессов в земных условиях.

Введение в технологию полупроводниковых материалов. М: Высшая школа, 1970.