наук, генеральный директор ООО«А-УНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ»
Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта
- Главная
- Разное
- Дизайн
- Бизнес и предпринимательство
- Аналитика
- Образование
- Развлечения
- Красота и здоровье
- Финансы
- Государство
- Путешествия
- Спорт
- Недвижимость
- Армия
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике презентация
Содержание
- 1. Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике
- 2. Дистанционное зондирование Земли Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли
- 3. Окна прозрачности в атмосфере Явление обусловлено, в
- 4. Строение кристаллической решетки Si Рисунок 3
- 5. Оптические переходы в полупроводниках Рисунок 5 – Оптические переходы в полупроводниках
- 6. Ширина защищенной зоны полупроводниковых материалов
- 7. Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов
- 8. Зонная структура раствора CdHgTe Рисунок
- 9. Фотоприемники на основе ПЗС Рисунок 9 –
- 10. Список источников 1 Левинштейн М.Е., Симин Г.С.
- 11. Спасибо за внимание!
Дистанционное зондирование Земли Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли
Слайд 1Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике
Сообщение подготовили:
Лейферов Борис Михайлович, кандидат физико-математических
Слайд 3Окна прозрачности в атмосфере
Явление обусловлено, в основном, воздействием молекулярного поглощения атмосферы.
Поглощение
ИК-излучения на многих участках спектра практически полное. Поэтому говорят о прохождении ИК-излучения в атмосфере только в некоторых окнах прозрачности. «Окнам «соответствуют интервалы длин волн ИК-излучения:
λ=0,95 – 1,05 мкм;
λ=1,15 – 1,35 мкм;
λ=1,5 – 1,8 мкм;
λ=2,1 – 2,4 мкм;
λ=3,3 – 4,2 мкм;
λ=4,5 – 5,1 мкм;
λ=8 – 13 мкм.
λ=0,95 – 1,05 мкм;
λ=1,15 – 1,35 мкм;
λ=1,5 – 1,8 мкм;
λ=2,1 – 2,4 мкм;
λ=3,3 – 4,2 мкм;
λ=4,5 – 5,1 мкм;
λ=8 – 13 мкм.
Рисунок 2 – Спектр пропускания земной атмосферы
Слайд 4Строение кристаллической решетки Si
Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния
(Si) [1]
Рисунок 4 – Схема включения донорной примеси
Слайд 7Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов
Рисунок 6 – Структура энергетических зон
Ge, Si, GaAs
Слайд 8Зонная структура раствора CdHgTe
Рисунок 7 – Ширина запрещенной зоны в
зависимости от состава Hg/CdTe при 300K [2]
Слайд 9Фотоприемники на основе ПЗС
Рисунок 9 – Матричный ПЗС со строчным переносом
(схема подключения)
Рисунок 8 – Матричный ПЗС со строчным переносом
Слайд 10Список источников
1 Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Знакомство с полупроводниками / Под
ред. Л.Г. Асламазова. – М.: Наука, 1984.
2 Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника М.: Мир, 1976
2 Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника М.: Мир, 1976
